氮化硼復(fù)合導(dǎo)電陶瓷坩堝
關(guān)鍵詞:
氮化硼復(fù)合導(dǎo)電陶瓷坩堝
所屬分類:
氮化硼復(fù)合導(dǎo)電陶瓷坩堝
- 產(chǎn)品描述
-
典型特性
The typical characteristics
PENSC-T
化學(xué)成分
Chemical compositionBN+TiB2+AlN
密度
Densityg/cm3
>3.01
彈性模量
Modulus of elasticityGpa
60-70
抗彎強(qiáng)度 ( 常溫)
Flexural StrengthMpa
>150
熱膨脹系數(shù)(1450℃)
Coefficient of thermal expansion(10-6/K)
4-6
熱導(dǎo)率(常溫)
Thermal conductivity at 20℃W/mk
100/40
最高使用溫度
MAX-Temperature of use空氣
oxidizing900℃
真空
vacuum1700℃
惰性氣氛
inert2000℃
常溫電阻率
RT ResistivityΩ.cm
300-2000

產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
●獨(dú)特工藝配方,優(yōu)化組成結(jié)構(gòu),材料具備優(yōu)異的耐腐蝕性,大大提高使用壽命。
●采用國(guó)際先進(jìn)的真空熱壓燒結(jié)法,材料結(jié)構(gòu)細(xì)膩,致密度高,具備優(yōu)越的物理性能。
● 化學(xué)性能穩(wěn)定,高溫下與熔融金屬不反應(yīng)、提高合金純度。
● 抗氧化性能好,比石墨材料提高400-500攝氏度,使用壽命長(zhǎng)。
典型應(yīng)用
●真空鍍鋁用導(dǎo)電陶瓷蒸發(fā)舟
●高溫電子束蒸鍍用導(dǎo)電陶瓷坩堝
●光學(xué)鍍膜設(shè)備用坩堝及組件
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能,是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,在多方面都有廣泛的應(yīng)用前景。非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能,是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,在多方面都有廣泛的應(yīng)用前景。非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能,是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,在多方面都有廣泛的應(yīng)用前景。非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能,是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,在多方面都有廣泛的應(yīng)用前景。非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。