真空鍍鋁用蒸發(fā)舟
關鍵詞：
真空鍍鋁用蒸發(fā)舟
所屬分類：
真空鍍鋁用蒸發(fā)舟
- 產(chǎn)品描述
-
典型特性
The typical characteristics
PENSC-T
化學成分
Chemical compositionBN+TiB2+AlN
密度
Densityg/cm3
>3.01
彈性模量
Modulus of elasticityGpa
60-70
抗彎強度 ( 常溫）
Flexural StrengthMpa
>150
熱膨脹系數(shù)（1450℃）
Coefficient of thermal expansion（10-6/K)
4-6
熱導率（常溫）
Thermal conductivity at 20℃W/mk
100/40
最高使用溫度
MAX-Temperature of use空氣
oxidizing900℃
真空
vacuum1700℃
惰性氣氛
inert2000℃
常溫電阻率
RT ResistivityΩ.cm
0-2000
產(chǎn)品特點及優(yōu)勢
●獨特工藝配方，優(yōu)化組成結(jié)構(gòu)，材料具備優(yōu)異的耐腐蝕性，大大提高使用壽命。
●采用真空熱壓燒結(jié)法，材料結(jié)構(gòu)細膩，致密度高，具備優(yōu)良的物理性能。
● 化學性能穩(wěn)定，高溫下與熔融金屬不反應、提高合金純度。
● 抗氧化性能好，比石墨材料提高400-500攝氏度，使用壽命長。
典型應用
●真空鍍鋁用導電陶瓷蒸發(fā)舟
●高溫電子束蒸鍍用導電陶瓷坩堝
●光學鍍膜設備用坩堝及組件
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關注的新一代先進陶瓷，在多方面都有廣泛的應用前景。非常適用于半導體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關注的新一代先進陶瓷，在多方面都有廣泛的應用前景。非常適用于半導體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關注的新一代先進陶瓷，在多方面都有廣泛的應用前景。非常適用于半導體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。
氮化鋁(AlN)陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關注的新一代先進陶瓷，在多方面都有廣泛的應用前景。非常適用于半導體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料。